2nm以降もTSMCが主導。トランジスタ構造の変革と先進パッケージング技術への統合(6/7)

N2世代のCMOSデバイス技術によって試作したシリコンダイの断面を電子顕微鏡で観察した画像。IEDMの実行委員会がハイライトとして公表したプレスキットから抜粋したもの(論文番号2-1)