Micron Technologyが開発した強誘電体不揮発性DRAM向け微細トランジスタ技術(番号T17-2)。デュアルゲートの薄膜トランジスタ技術によって4F2(F2は設計ルールの2乗)サイズと小さなセル選択トランジスタを実現した。2024年4月19日に開催された記者会見の資料から。なお資料では番号が「T16-2」となっているのは、誤りあるいはプログラムに変更が生じたためだと思われる
