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NANDフラッシュメモリの記憶密度の推移(2008年~2023年)。10年で記憶密度を50倍に急拡大してきた。キオクシアが IMW 2024で発表した論文(論文番号1.3)から
福田昭のセミコン業界最前線
AI向け3次元DRAMやキャパシタレスDRAM技術などが目白押し。国際メモリワークショップ開催へ
2024年5月8日
2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
2024年1月5日
Samsung、今後の3D NANDフラッシュの課題と対策を解説
2023年5月25日
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日