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次回の予告へ向け、差し込まれたスライド。チェアパーソンによる閉会挨拶から
福田昭のセミコン業界最前線
AI向け3次元DRAMやキャパシタレスDRAM技術などが目白押し。国際メモリワークショップ開催へ
2024年5月8日
2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
2024年1月5日
Samsung、今後の3D NANDフラッシュの課題と対策を解説
2023年5月25日
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日
積層数が19%増にも関わらず、記憶密度を40%向上させたMicronのNANDフラッシュ技術
2025年6月3日
