従来技術による「メモリセルアレイの低背化」は限界に達しつつある。左はワード線と絶縁膜の薄型化と技術世代の関係。すでに限界に達したとする。中央はユニット(単一寸法)当たりのチャンネルホール数とセルアレイ面積の関係。ワード線用トレンチ(図中の「WL Cut」)の間引きやダミーホールの削減といった従来手法は、限界に達しつつあるとする。右は従来手法によるメモリセルアレイの低背化。それぞれ3割あるいは4割の効果があった。SamsungがIEDM 2023で公表した講演スライドから(講演番号35-1)
