3D NANDフラッシュ大手各社のワード線積層数(横軸)とゲートピッチ(ワード線ピッチ、垂直方向)の調査結果。Samsungの第5世代(V5 : 92層)と第6世代(V6 : 128層)が他社に比べてピッチがかなり狭いことが分かる。チップ解析サービス企業のTechInsightsが2023年8月にフラッシュメモリ関連のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS)」で公表したデータ(論文番号FAMR102-1)から

3D NANDフラッシュ大手各社のワード線積層数(横軸)とゲートピッチ(ワード線ピッチ、垂直方向)の調査結果。Samsungの第5世代(V5 : 92層)と第6世代(V6 : 128層)が他社に比べてピッチがかなり狭いことが分かる。チップ解析サービス企業のTechInsightsが2023年8月にフラッシュメモリ関連のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS)」で公表したデータ(論文番号FAMR102-1)から