Samsungの3D NANDフラッシュ技術によるワード線積層数の高層化実績と予測。1,000層の実現に向けては、まったく新しい課題が待ち受けるとする。IEDM 2023の招待講演では、「メモリセルアレイの低背化」、「非セルアレイ領域の面積縮小」、「高アスペクト比のエッチングコスト低減」、「セル電流の拡大」の4つの課題について論じた。同社がIEDM 2023で公表した講演スライドから(講演番号35-1)
