IntelとMicron Technologyが2015年7月28日(米国時間)に開発を発表した大容量高速不揮発性メモリ「3D XPoint」技術の概要とメモリセルアレイの構造図。メモリセルアレイにクロスポイント構造を採用することで理論的なメモリセル面積を最小化し、2層の3次元メモリセルアレイとすることで記憶容量を2倍に拡大した。当時としては驚異的な128Gbitの記憶容量と、ワード単位のランダムアクセスを両立させた。発表当時のリリースから
