化合物半導体の高周波デバイス(左)と多層配線工程で作り込むデバイス(右)のハイライト論文。左は平均周波数が800GHzと高いInP/GaAsSbダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ。ETH Zurichが試作した(論文番号34.6)。右は多層配線工程と互換の薄膜トランジスタ。Purdue Universityが試作した(論文番号41.1)。薄膜トランジスタの材料はInGaOである。チャンネルは厚さ3nm、長さ60nm
