VLSIシンポジウム、日本の回路技術がメモリ、イメージャ、プロセッサなどで力量をアピール(16/26)

TSMCデザインテクノロジージャパンが開発した3nm世代のFinFETプロセスによる27.6Mbit/平方mmの高密度SRAMマクロ(番号C9-5)