キオクシア、3D NANDフラッシュで6bit/セルの超多値記憶を確認(3/5)

6bit/セル(HLC)方式のしきい電圧(Vth)測定値。キオクシアが2021年4月に国際学会EDTM 2021で発表した論文(論文番号WE2P4-5)から