前の画像
次の画像
記事へ
多値記憶方式と書き換えサイクル数の推移
福田昭のセミコン業界最前線
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
キオクシア、QLC技術を用いたUFS 3.1対応512GBの組み込みフラッシュを試作
2022年1月19日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
