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多値記憶方式と書き換えサイクル数の推移
福田昭のセミコン業界最前線
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
キオクシア、QLC技術を用いたUFS 3.1対応512GBの組み込みフラッシュを試作
2022年1月19日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
国際メモリワークショップ、高密度化の限界に挑む3D NANDフラッシュ技術
2023年5月8日
Samsung、今後の3D NANDフラッシュの課題と対策を解説
2023年5月25日
