VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望(24/24)

強誘電体HfZrO膜の分極反転疲労と疲労回復の特性(TSMC、講演番号T6-3)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会