相変化メモリ(PCM)の記憶素子構造(概念図)。カルコゲナイド化合物(カルコゲナイド合金)の薄膜と加熱用ヒーターの金属膜、上下の電極で構成する。カルコゲナイド合金の結晶相は電気抵抗が低く、アモルファス相は電気抵抗が高い
