Samsung/IBM/TSMC/GFがMRAM開発の最新成果を披露(11/16)

16nm世代のバルクFinFETロジック用プロセスで試作した8Mbit(物理的には10Mbit) MRAMマクロのシリコンダイ写真。TSMCがIEDM 2020で発表した論文(論文番号11.4)から