512GBのクライアントSSDを構築したときの書き込みスループット。2018年のISSCCでSamsungが発表したQLC NANDフラッシュと2019年のISSCCで東芝メモリが発表したQLC NANDフラッシュはメモリセルアレイを2枚のプレーンに分割していたので、SSDの書き込みスループットが約40MB/秒以下と低い。SK Hynixが開発したQLC NANDフラッシュ(図中の「This Work」)はメモリセルアレイを4枚のプレーンに分割することで、書き込みのスループットを2.5倍に向上させた。SK Hynixが2020年2月に国際学会ISSCCで講演したときのスライド(講演番号13.2)から抜粋したもの

512GBのクライアントSSDを構築したときの書き込みスループット。2018年のISSCCでSamsungが発表したQLC NANDフラッシュと2019年のISSCCで東芝メモリが発表したQLC NANDフラッシュはメモリセルアレイを2枚のプレーンに分割していたので、SSDの書き込みスループットが約40MB/秒以下と低い。SK Hynixが開発したQLC NANDフラッシュ(図中の「This Work」)はメモリセルアレイを4枚のプレーンに分割することで、書き込みのスループットを2.5倍に向上させた。SK Hynixが2020年2月に国際学会ISSCCで講演したときのスライド(講演番号13.2)から抜粋したもの