Intelが公表したQLC方式3D NANDフラッシュの開発ロードマップ。ワード線の積層数を64層から96層、144層に増やしても、シリコンダイの記憶容量は1,024Gbit(1Tbit)で変わらない。Intelが2019年9月26日に開催したイベント「Intel Memory & Storage Day」の講演スライドから
