試作した1Gbit埋め込みMRAMのメモリセル構造(左)と磁気トンネル接合(MTJ)部分の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像(右)。メモリセルは、配線工程の途中でMTJを形成する「1T1R(1個のトランジスタと1個の磁気抵抗素子)」タイプ。MTJの直径は38nm～45nm
