32bitの商用マイクロプロセッサを動作させたときに、シリコントランジスタ(Si/SiGe FinFET)とCNFETで消費エネルギー(サイクル当たり)と動作周波数を比較したもの。製造技術は5nm世代。理論的には、CNFETのマイクロプロセッサは「消費エネルギー遅延時間積(EDP)」がシリコンの9.3分の1と低い。Stanford University、imec、TSMCなどの共同研究グループが2018年11月に学会論文誌「IEEE Transactions on Nanotechnology」で発表した<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8476614" class="n" target="_blank">論文</a>から

32bitの商用マイクロプロセッサを動作させたときに、シリコントランジスタ(Si/SiGe FinFET)とCNFETで消費エネルギー(サイクル当たり)と動作周波数を比較したもの。製造技術は5nm世代。理論的には、CNFETのマイクロプロセッサは「消費エネルギー遅延時間積(EDP)」がシリコンの9.3分の1と低い。Stanford University、imec、TSMCなどの共同研究グループが2018年11月に学会論文誌「IEEE Transactions on Nanotechnology」で発表した論文から