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今年のISSCCにおける3D NANDフラッシュメモリの発表。ISSCCの発表論文から筆者がまとめた
東芝、1.33Tbit/ダイの超大容量3D NANDと超高速3D NANDを披露
2018年8月10日
福田昭のセミコン業界最前線
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
2018年2月26日
連載福田昭のセミコン業界最前線
64層の3D NAND技術で512Gbitの大容量データをシングルダイに収容
2017年2月8日
Samsung、シングルスタックで100層以上のコンシューマSSDを量産
2019年8月6日
WD、112層TLC/QLCとなった第5世代3D NANDフラッシュ「BiCS5」
2020年1月31日
Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作
2020年6月1日
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
技術革新を迫られるNANDフラッシュの高密度化
2023年11月29日
