22nm世代のロジックに埋め込むReRAMとMRAMをIntelが開発中(13/14)

パッケージにシリコンダイを封止してハンダ付けの高温処理を加えたときのデータ保持不良率。7Mbitの埋め込みMRAMマクロに対するテスト結果。Intelの講演スライド(講演番号13.3)から