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埋め込み不揮発性メモリの実現技術。大別すると、コンタクトに記憶素子を形成する技術と多層配線に記憶素子を形成する技術がある
福田昭のセミコン業界最前線
Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術
2018年12月17日
Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発
2018年12月6日
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
2018年8月8日
フラッシュマイコンの置き換えを狙うMRAMマイコン
2018年7月30日
Samsung、埋め込みフラッシュを置き換える磁気抵抗メモリ「eMRAM」の量産を開始
2019年3月8日