Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発(4/4)

磁気トンネル接合(MTJ)におけるトンネル絶縁膜の短絡不良によるビット不良率の変化(2017年～2018年の12カ月間)。IntelがIEDM 2018で発表した論文から