Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発(1/4)

第2層金属配線(M2)と第4層金属配線(M4)の間に、記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)を形成した断面を電子顕微鏡で観察した画像。IEDM 2018の実行委員会が報道機関向けに提供した資料から