VoCSM(Voltage-Controlled Spintronics Memory : 電圧制御スピントロニクスメモリ)の概要。左(Fig.1)はSTT-MRAM(a)とVoCSM(b)の電流経路の比較。青色の層は固定層、白色の層はトンネル絶縁層、赤茶色の層は自由層、その下にある幅広い層は電極あるいはSOT層。VoCSMはデータ書き込み電流が磁気トンネル接合を通過しない。右(Fig.2)はVoCSMの記憶素子における書き込み動作。SOT層に流れる電流方向の違いによって平行状態(P状態)と反平衡状態(AP状態)のどちらを書き込むかを決める。東芝が2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から引用した(論文番号C8-3)

VoCSM(Voltage-Controlled Spintronics Memory : 電圧制御スピントロニクスメモリ)の概要。左(Fig.1)はSTT-MRAM(a)とVoCSM(b)の電流経路の比較。青色の層は固定層、白色の層はトンネル絶縁層、赤茶色の層は自由層、その下にある幅広い層は電極あるいはSOT層。VoCSMはデータ書き込み電流が磁気トンネル接合を通過しない。右(Fig.2)はVoCSMの記憶素子における書き込み動作。SOT層に流れる電流方向の違いによって平行状態(P状態)と反平衡状態(AP状態)のどちらを書き込むかを決める。東芝が2018年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から引用した(論文番号C8-3)