40nm技術で試作したReRAMセルの断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像。パナソニックがIMW 2018で発表した論文から

40nm技術で試作したReRAMセルの断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像。パナソニックがIMW 2018で発表した論文から