NANDフラッシュメモリ技術の比較表。中央はSamsungが昨年のISSCCで発表した512Gbitの3D NAND技術の概要。右端は同社が今年のISSCCで発表した1Tbitの3D NAND技術の概要。そして左端は、東芝-SanDisk連合が2009年のISSCCで発表したQLC方式のNANDフラッシュ技術(プレーナ型NAND技術)の概要。SamsungがISSCC 2018で発表した3D NANDフラッシュ技術の講演スライドから
