SamsungがNANDフラッシュメモリの記憶密度の推移と、2009年に東芝-SanDisk連合が開発を発表したQLC方式NANDフラッシュ技術との比較。同じQLC方式でも、記憶密度が21倍に向上したとする。SamsungがISSCC 2018で発表した3D NANDフラッシュ技術の講演スライドから
