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Samsungが開発した1Tbit 3D NANDフラッシュのシリコンダイ写真(左)と概要(右)。左はSmsungの講演スライド、右はSamsungの発表論文から
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
2017年8月18日
連載福田昭のセミコン業界最前線
64層の3D NAND技術で512Gbitの大容量データをシングルダイに収容
2017年2月8日
東芝とSanDisk、世界初の48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリ
2015年3月26日
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
2013年8月19日
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2009年2月12日
半導体メモリに対する高い関心を証明した初めての日本開催
2018年5月14日