3nmロジックの量産を狙うEUVリソグラフィの高NA化技術(3/14)

レチクル(マスク)におけるNAとEUV光の反射角の関係。2016年6月に開催された国際学会「EUVL Workshop 2016」でASMLとCarl Zeiss SMTが共同で発表したスライドから