東芝とSK Hynix、次世代半導体露光技術の共同開発で正式契約

　株式会社東芝は、次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ」(NIL)の共同開発で、韓国SK Hynixと正式契約を締結したことを発表した。

　東芝では、半導体製造装置メーカーや材料メーカー各社と共同でNILの開発を進めてきたが、SK Hynixと共同で行なうことでそのプロセス開発を加速し、2017年の実用化を目指す。

　従来のフォトリソグラフィは回路パターンを描いたフォトマスクの上からレーザー光を照射してシリコンウェハに転写するのに対し、NILは回路パターンが彫り込まれた型をウェハに直接押し当てて転写することで、メモリを始めとする半導体のさらなる微細化に期待が掛けられている。

　東芝は、NANDフラッシュメモリ技術にの機密情報流出について2014年3月にSK Hynixを提訴したが、同12月に和解が成立。和解の際に、NILの共同開発についても合意していた。