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Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始

8月6日(現地時間) 発表

 韓国Samsung Electronicsは6日(現地時間)、3次元構造のメモリセルを採用したNANDフラッシュメモリ「3D V-NAND」の量産を開始したことを発表した。1チップの容量は128Gbit。

 ダイを積層するのではなく、メモリセルを水平方向だけでなく垂直方向にも形成したもの。本チップは、CTF(Charge Trap Flash)型セルを3次元化したものをベースとし、24層を垂直にインターコネクトしてメモリセルアレイを形成している。

 Samsungはニュースリリースの中で、3D V-NANDは20nmクラスのプレーナ型NANDに比べ2倍以上の容量スケーリングが可能になるとするほか、3D CTFは10nmクラスのフローティングゲートNANDに比べ2〜10倍の信頼性、2倍のパフォーマンスを持つとしている。

(多和田 新也)