「zHBM」ではウェハ間を直接接合するハイブリッド銅接合(HCB: Hybrid Cu Bonding)技術を採用。左上はシリコンダイの厚みとTSVの直径およびピッチの変化イメージ。左下はマイクロバンプ接続とハイブリッド接合の接続断面観察像。右はシリコンダイの厚みとTSVの直径とピッチ、TSV密度をHBM4EとzHBMで比較したもの。SamsungがFMSの基調講演で発表したスライドから
