Intel 18AやSamsungの第9世代NANDがVLSIシンポジウムで披露(12/21)

TSMCによる2次元電子材料WSe2をチャンネルに用いたpチャンネルMOS FETの高性能化(論文番号T1-4)。2025年4月18日に開催された記者会見の資料から