高層化の進展に伴う課題と対策の例。ワード線層間の距離を短くすることで垂直方向の高さ(スタック高さ)を抑える。するとセルトランジスタ内部で絶縁破壊の可能性が高まる。対策として従来の酸化窒化膜(電荷捕獲膜)を、強誘電体膜に変更する。強誘電体膜の分極反転に要する電圧はNANDフラッシュに比べるとかなり低いので、絶縁破壊の恐れが著しく減少する。MicronがIMW 2025で発表した論文から(論文番号1.1)
