強誘電体膜をNANDフラッシュのセルトランジスタに応用する試みの例。左端(a)は強誘電体膜(Ferro)を組み込んだ絶縁膜の断面観察像(TEMによるもの)。中央(b)はNANDフラッシュと類似の円柱構造に強誘電体膜を組み込んだセルトランジスタの断面観察像(TEMによるもの)。右端(c)はしきい電圧を16通り(4bit/セルと同等)に変化させたときの測定結果。SamsungがIMW 2025で公表した論文(論文番号1.2)から
