ソニーセミコンダクタソリューションズなどの共同研究グループによる強誘電体不揮発性SRAM技術(番号T2-1)。1個のセル選択トランジスタと1個のHZO系強誘電体キャパシタによる1T1Cセル方式を採用して16Kbitの不揮発性SRAMマクロを試作した。130nm技術による製造歩留まりでは100%を達成している。2024年4月19日に開催された記者会見の資料から
