Snapdragon 8 Gen2向け4nmプロセスはQualcommとTSMC共同開発。その詳細が明らかに(6/6)

第1世代と第2世代のFinFETプロセスで試作したCPUコアの性能。縦軸は動作電圧、横軸はリーク電流。QualcommがVLSIシンポジウムで発表した論文から(番号T6-2)