リング発振器とSRAMセルの性能を5nmプロセスと4nmプロセスで比較。QualcommがVLSIシンポジウムで発表した論文から(番号T6-2)

リング発振器とSRAMセルの性能を5nmプロセスと4nmプロセスで比較。QualcommがVLSIシンポジウムで発表した論文から(番号T6-2)