コンポーネント研究グループ(Component Research Group)の業務(上)とトランジスタ技術のロードマップ(下)。同グループは製造技術開発を担当するグループであり、プロセス技術とデバイス技術、パッケージング技術を開発する。外部組織との提携による開発や、Intel内部の他部門との連携による開発も進める。なおトランジスタ技術の開発では、Intelは積極的に新しい要素技術を採用してきた。90nm世代の歪みシリコン、45nm世代の高誘電体ゲート絶縁膜と金属ゲート電極(HKMG)技術、22nm世代のフィンFET(FinFET)などが代表的な事例だ
Intelが説明会で配布したスライドから