3D XPointメモリ技術の長所。左から「NANDフラッシュと比べて書き込みが1,000倍高速(レイテンシが1,000分の1)」、「NANDフラッシュと比べて書き換えサイクル寿命が1,000倍と長い」、「DRAMと比べて記憶密度が10倍高い」。2016年4月13日～14日に中国の深センで開催された開発者向けイベント「IDF 2016」の技術トラックでIntelが示した「3D Xpoint Technology」の講演スライド
