【VLSI 2020レポート】最先端のCMOS製造技術とメモリ技術が続出(20/25)

300mmのシリコンウエハーにGaNデバイスとSi FinFETをウエハー貼り合わせ技術で3次元集積(Intel)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会