【VLSI 2020レポート】最先端のCMOS製造技術とメモリ技術が続出(18/25)

ニューラルネットワーク応用に向けた酸化物トランジスタによる抵抗変化メモリの3次元積層(東京大学)。出典:VLSI技術シンポジウム委員会