バリガの性能指数。低周波領域では絶縁破壊電界の3乗、高周波領域では絶縁破壊電界の2乗に比例する。出典はB. J. Baliga,「Power Semiconductor Device Figure of Merit for High-Frequency Applications」, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 10, NO. 10, OCTOBER 1989, pp.455-457
