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SiとSiC、GaNパワーデバイスの応用領域。横軸はスイッチング周波数、縦軸は電力。Texas Instrumentsのパワーデバイスに関する説明資料から
新材料SiC/GaN半導体でシリコンの限界を超えた省エネへ
2014年11月29日
福田昭のセミコン業界最前線
2020年も半導体はおもしろい(後編)
2020年2月3日
「松下の半導体」が歩んだ60年を振り返る~2010年代前半
2020年8月6日