SiとSiC、GaNパワーデバイスの応用領域。横軸はスイッチング周波数、縦軸は電力。Texas Instrumentsのパワーデバイスに関する説明資料から

SiとSiC、GaNパワーデバイスの応用領域。横軸はスイッチング周波数、縦軸は電力。Texas Instrumentsのパワーデバイスに関する説明資料から