パワーデバイスで健闘する日本の半導体企業(9/10)

おもなパワーデバイス用半導体材料の耐圧とオン抵抗の関係(理論限界)。2013年度先端技術大賞　特別賞受賞論文「酸化ガリウムパワー半導体の研究開発」(情報通信研究機構、タムラ製作所、光波)から