「4D NAND」のコンセプト。3次元(3D)構造のメモリセルアレイと周辺回路を積層することで、4次元(4D)構造を実現したとする。なお「CTF」とあるのは、「チャージトラップ型フラッシュ(Charge Trap Flash)」の略称。昨年(2018年)8月のFMSにおけるSK Hynixのキーノート講演から
