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埋め込みメモリ技術の比較。待機時消費電力、セル面積、書き込みエネルギー、書き込み速度、読み出し速度、書き換え回数の6項目によるレーダーチャート
福田昭のセミコン業界最前線
Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術
2018年12月17日
Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAMを開発
2018年12月6日
マイコン内蔵メモリを狙うMRAM技術をGLOBALFOUNDRIESなどが開発
2017年6月9日
東北大ら、有機分子のスピン移行に初めて成功
2019年12月13日