IBMが試作した、カーボンナノチューブによる柔らかいCMOSリング発振器の概要。左上(a)はポリイミド基板に試作したリング発振器の電子顕微鏡観察画像。左中央(b)は、試作した5段のリング発振器の回路図。中央上(c)は出力信号の周波数特性。発振周波数は1.10MHz(電源電圧は6V)。中央(d)はCNFETの寸法による発振周波数の変化。「5F」はチャンネル長が3μm、オーバーラップ長が3μmの場合。「5M」はチャンネル長が3μm、オーバーラップ長が5μmの場合。「5S」はチャンネル長とオーバーラップ長がともに5μmの場合。右上(e)と右中央(f)は発振周波数と電源電圧の関係。チャンネル長は3μm。左下(h)は電源電圧と発振周波数の関係。チャンネル長を2μmと短くするとともに、耐圧を高めた構造によって電源電圧を上げ、発振周波数を17.6MHzにまで高めた。中央下(h)はリング発振器の1段当たり平均遅延時間をほかの材料による試作結果と比較したもの。2018年3月にIBMがNature Electronics誌で発表した論文から