北京大学が試作したCNFETのpチャンネルMOSインバータによるリング発振器の概要。左上(a)は回路図、中央上(b)は試作したシリコンダイを走査型電子顕微鏡で観察した画像。右上(c)は出力信号の周波数特性。発振周波数は0.68GHz(CNFETのチャンネル長は200nm、電源電圧は2.8V)。左下(d)はゲート電極の寄生容量を減らす構造(エアギャップ)を走査型電子顕微鏡で観察した画像。左下(e)はCNFETの断面構造図。中央下(f)はゲート電圧によるドレイン電流と伝達コンダクタンスの変化。右下(g)は出力信号の周波数特性。CNFETの構造を最適化することによって発振周波数を2.62GHzに高めた。2017年12月に北京大学がNature Electronics誌で発表した論文から